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可控硅（Silicon Controlled Rectifier，SCR）、晶闸管（Thyristor）和IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）都是电子元件中用于控制电流的重要器件，但它们之间确实存在一些区别。
可控硅和晶闸管在本质上是相似的，都是电流控制型的半导体器件，用于开关电源和控制电机等应用，它们的主要区别在于结构和特性上的一些差异，晶闸管是一种具有三个极的半导体器件，可以通过控制极上的小电流来控制主电路中的大电流，而可控硅也是一种电流控制型的半导体开关器件，其结构与晶体管相似，具有四个电极，可控硅常用于各种控制和调节电路中，特别是在电机控制、电源调控等领域。
IGBT则是一种复合型半导体器件，具有MOSFET和晶闸管的特性，它既可以像MOSFET那样快速切换，又能像晶闸管那样承受较大的电流和压力，在某些应用中，IGBT可以替代可控硅和晶闸管，提供更高的效率和性能。
至于晶闸管和可控硅模块，模块是将一些电子元件集成在一个封装内，以便于安装和使用，晶闸管和可控硅模块都是包含了相应器件的集成产品，但具体包含哪种器件以及产品的特性和用途可能会有所不同。
可控硅、晶闸管和IGBT虽然都是电流控制型的半导体器件，但它们之间在结构、特性和应用上存在一些差异，而晶闸管和可控硅模块则可能是在产品形态和集成方面的不同表现。